HGTG40N60B3_Q datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  HGTG40N60B3_Q
• Производитель
  Fairchild Semiconductor
• Описание
  Fairchild Semiconductor HGTG40N60B3_Q Product Category: IGBT Transistors Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.4 V Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 70 A Gate-Emitter Leakage Current: +/- 100 nA Power Dissipation: 290 W Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: TO-247-3 Continuous Collector Current Ic Max: 70 A Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole
• Количество страниц
  8 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  136,19 KB

HGTG40N60B3_Q datasheet скачать

HGTG40N60B3_Q datasheet